Debido a sus propiedades físicas y conductivas, el grafeno es un posible material para la fabricación de nuevos dispositivos electrónicos, como transistores. Un modelo de fabricación para un transistor de efecto de campo (FET) emplea nano-listones de diferentes anchos. La diferencia de ancho en los listones produce que el grafeno se comporte como conductor o resistor.
En la figura se muestra el diagrama del modelo FET, dónde se muestran dos listones con anchos diferentes W1 y W2. Ambos listones de grafeno en los extremos, correspondientes a W1 se comportan como metal, es decir no presentan resistencia al flujo de corriente eléctrica. La sección central corresponde a un listón de grafeno con W2, que secomporta como semiconductor. Al aplicar un voltaje en dirección V, la propiedad de semiconductor de la sección L cambia a conductor, lo que resulta en un flujo de corriente en dirección Vx.
Naumis, G. G., Terrones, M. M., Terrones, H. H., & Gaggero-Sager, L. M. (2009). Design of graphene electronic devices using nanoribbons of different widths. Applied Physics Letters, 95(18), 182104. doi:10.1063/1.3257731
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