Durante los últimos 30 años las aplicaciones electrónicas han estado dominadas por los dispositivos CMOS, mismos que combinan transistores FET tipo P y N para reducir la energía estática de consumo, sin embargo no pueden cambiar.
Este trabajo presentan el concepto y demuestran un transistor universal que puede ser inversamente configurado, es decir puede pasar a ser tipo p o n, con la simple aplicación de una señal eléctrica.
En contraste con los FET convencionales, la polaridad y la concentración son determinados por un control selectivo de la aplicación de una pequeña carga en las uniones Schottky del transistor, evitando así el uso de dopantes; ademas de la funcionalidad adicional, estos dispositivos exhiben la propiedad de mejorar las características eléctricas del transistor; ambas características muestran la oportunidad de crear circuitos de una manera más flexible.
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