Thursday, December 01, 2011

Reconfigurable Silicon Nanowire Transistors


Durante los últimos 30 años las aplicaciones electrónicas han estado dominadas por los dispositivos CMOS, mismos que combinan transistores FET tipo P y N para reducir la energía estática de consumo, sin embargo no pueden cambiar.

Este trabajo presentan el concepto y demuestran un transistor universal que puede ser inversamente configurado, es decir puede pasar a ser tipo p o n, con la simple aplicación de una señal eléctrica.

En contraste con los FET convencionales, la polaridad y la concentración son determinados por un control selectivo de la aplicación de una pequeña carga en las uniones Schottky del transistor, evitando así el uso de dopantes; ademas de la funcionalidad adicional, estos dispositivos exhiben la propiedad de mejorar las características eléctricas del transistor; ambas características muestran la oportunidad de crear circuitos de una manera más flexible.

No comments: